Toshiba выпускает МОП-транзисторы из карбида кремния (SiC) третьего поколения с уменьшенными потерями переключения

Новые устройства в 4-контактном корпусе обеспечивают улучшенные характеристики переключения MOSFET в промышленных приложениях.

Toshiba Electronics Europe GmbH («Toshiba») выпустила серию TWxxxZxxxC из десяти МОП-транзисторов из карбида кремния (SiC), основанных на технологии третьего поколения. Они предназначены для снижения потерь в широком спектре промышленных приложений, включая импульсные источники питания для серверов и центров обработки данных, зарядные станции для электромобилей (EV), фотоэлектрические (PV) инверторы и источники бесперебойного питания (ИБП).

Устройства серии TWxxxZxxxC — первые продукты Toshiba SiC, размещенные в корпусе TO-247-4L(X) с четвертым контактом. Это позволяет обеспечить соединение по шкале Кельвина на клемме источника сигнала для привода затвора, тем самым уменьшая влияние паразитной индуктивности внутреннего истока и улучшая характеристики высокоскоростного переключения. Сравнение TW045Z120C с существующим TW045N120C от Toshiba (3-контактный TO-247) показывает улучшение потерь при включении примерно на 40 %, а потери при выключении — примерно на 34 %.

Новая серия TWxxxZxxxC включает пять устройств с номинальным напряжением сток-исток (VDSS) 650 В и еще пять устройств с номинальным напряжением 1200 В для приложений с более высоким напряжением. Типичные значения сопротивления открытого состояния сток-исток (RDS(ON)GD) обеспечивают низкие потери даже в высокочастотных приложениях.

Устройства способны выдавать непрерывный ток стока (ID) до 100 А.

ИСТОЧНИК:Тошиба